أعلن فريق من الباحثين في جامعة بكين تحقيقهم تقدماً هائلاً في تكنولوجيا الرقائق، مما قد يُحدث نقلة نوعية في سباق أشباه الموصلات.
ويزعم الفريق أن الترانزستور ثنائي الأبعاد الذي طوروه حديثاً أسرع بنسبة 40% من أحدث رقائق السيليكون بتقنية 3 نانومتر من إنتل وTSMC، مع استهلاك طاقة أقل بنسبة 10%.
ويؤكدون أن هذا الابتكار قد يمكّن الصين من تجاوز تحديات صناعة الرقائق القائمة على السيليكون تماماً، وفق “إنترستينغ إنجينيرينغ”.
وقال أستاذ الكيمياء الفيزيائية بنغ هايلين: “الأمر يشبه تغييراً جذرياً في قدرتنا في صناعة الرقائق”.
ويتمحور إنجاز الفريق الصيني حول ترانزستور قائم على البزموت، يتفوق في أدائه على أحدث الرقائق التجارية من إنتل، وTSMC، وسامسونغ.
وعلى عكس الترانزستورات التقليدية القائمة على السيليكون، والتي تواجه صعوبات في التصغير وكفاءة الطاقة في المقاييس الصغيرة للغاية، يقدم هذا التصميم الجديد حلاً يتخطى هذه القيود.
ووفقاً لبينغ، فبينما حدّت العقوبات التي تقودها الولايات المتحدة من وصول الصين إلى أحدث الترانزستورات القائمة على السيليكون، دفعت هذه القيود الباحثين الصينيين أيضاً إلى استكشاف حلول بديلة.
وأضاف “مع أن هذا المسار وليد الضرورة بسبب العقوبات الحالية، إلا أنه يُجبر الباحثين أيضاً على إيجاد حلول من منظور جديد”.
لتصلك آخر الأخبار تابعنا على قناتنا على تلغرام: النعيم نيوز
لمتابعتنا على فيسبوك يرجى الضغط على الرابط التالي: النعيم نيوز
كما يمكنك الاشتراك على قناتنا على منصة يوتيوب لمتابعة برامجنا على: قناة النعيم الفضائية
كما يمكنك أيضا الاشتراك بقناتنا على الانستغرام: النعيم نيوز
